2024年4月30日  碳化硅器件应用于轨道交通牵引变流系统，可提高牵引变流器设备效率10%以上，满足轨道交通大容量、轻量化及节能型对牵引变流器设备应用的要求，增强

2023年7月14日  根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，经过过去20多年设备研发积累, 中电科48所、北方华创、恒普科技、优晶光电、纳设、晶盛机电和季华实验室等国产

2024年4月12日  前天，世纪金芯宣布成功制备了8吋SiC单晶（点这里）；4月11日，青禾晶元也在官微宣布，他们突破了8英寸SiC键合衬底制备。 据介绍，青禾晶元通过技术创

2022年12月1日  目前制约 SiC 大规模应用仍面临着一些挑战，一是价格成本方面，由于 SiC 制备困难，材料相对昂贵；二是工艺技术方面，诸多工艺技术仍采用传统技术，严重依

合成可用于单晶生长的高纯SiC粉料的设备。 可提供半定制化服务 高真空 腔体内壁经镜面抛光，减少气体附着； 各表面严密结合，避免产生泄露； 大抽速泵体，实现快速抽空功能； 高密封性阀体，实现长时间的真空保压。

鑫康生产的碳化硅单晶衬底纯度高达99999%，氏硬度为95级，是新一代宽禁带半导体材料，产品应用于5G通信、高铁、汽车电子、智能电网、光伏逆变等。请咨询，可随时查看价格!

2023年4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通并进入中试线生产，打破了国际在宽禁带半导体关键材料的限制和封锁。 8英寸产品展示 图源官微 目前，科友半导体突破了8英

6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所（简称中国电科二所）生产大楼内，100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。 中国

1 天前  碳化硅单晶片SiC 碳化硅（SiC）是含有硅和碳的半导体。 它在自然界中作为极为稀有的矿物质硅藻土出现。 自1893年以来，合成SiC粉末已经大量生产用作磨料。 碳化硅颗粒可以通过烧结粘合在一起，形成非常

这将对 SiC 单晶衬底提出了更高的要求，不仅要求 更大的晶圆衬底尺寸而且要求更高的质量品质。因 此，对于大尺寸 SiC 单晶中微管缺陷降低和消除方 法的研究，显然具有重要的研究价值。 但是，SiC 单晶衬底中的各种缺陷对电子器件 收稿日期：2020–07–09。

2023年10月12日  根据CASA数据预测，SiC衬底和外延随着产业技术逐步成熟（良率提升）和产能扩张（供给提升），预计衬底价格将以 每年8%的速度下降。 SiC衬底及外延片价格

中文摘要 碳化硅(SiC)以其宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高载流子饱和迁移率等优点,被认为是目前较具发展前景的半导体材料之一近年来,物理气相传输(PVT)法在制备大尺寸、高质量SiC单晶衬底方面取得了重大突破,进一步推动了SiC在高压、高频、高温电子器件领域的应用SiC粉体是PVT法生长SiC

2023年12月28日  通过增加单晶衬底的直径和质量，可以降低βGa2O3功率器件的成本。SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为功率器件材料而备受关注。βGa2O3具有比这些材料更大的带隙能量。因此，很有可能为电动汽车、铁路车辆和工业设备等设备实现更高性能的功率

2021年12月4日  生长单晶用高纯碳化硅的价格高，主要是因为对它的纯度要求高，制备工艺异常复杂。 其中固相法是目前合成高纯 SiC 粉体的主要方法，而液相法如溶胶凝胶法也能制备高纯的碳化硅粉体，但由于制备成本高，合成工艺复杂等原因无法满足工业生产需求。

2024年2月29日  碳化硅籽晶是晶体生长的基底，为晶体生长提供基础晶格结构，同样也是决定晶体质量的核心原料。 籽晶位于反应器内部或原料上方。 03 晶体生长 SiC晶体生长是SiC衬底生产的核心工艺，核心难点在于提升良率。 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相

2023年8月14日  SiC衬底制备困难导致高成本。SiC衬底生产流程与硅基类似，晶体为流程核心：1）原料合成晶体生长。将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在2000℃以上的高温下反应合成SiC颗粒。经过破碎、清洗等工序，制得满足晶体生长要求的高纯度SiC微粉原料。

2022年10月29日  SiC 衬底制备难度大导致其价格居高不下。 对比传统硅材，SiC 衬底制备具有晶 体温度要求严格、良率低、时间长等特点，导致成本价格居高不下，是硅基衬底 的 45 倍。 1）温场控制困难：Si 晶棒生长只需 1500℃，而 SiC 晶棒需要在 2000℃以上 高温

天科合达8英寸导电型碳化硅产品的多项指标均处于行业内领先水平，已经达到了量产标准，8英寸的小规模量产定在2023年。 3山西烁科晶体有限公司 2021年8月，山西烁科晶体有限公司成功研制出8英寸碳化硅晶体，解决大尺寸单晶制备的重要难题。 2022年1月

摘要： SiC单晶衬底中的微管缺陷对SiC基器件是一种致命的缺陷,会严重影响SiC功率器件的成品率基于物理气相传输 (PVT)法,通过改进生长设计装配制备了绝对零微管缺陷6 in的n型4HSiC单晶从结晶学和动力学原理对改进生长设计装配消除微管的机理进行分析,阐明了

2023年5月13日  由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注

2024年4月12日  前天，世纪金芯宣布成功制备了8吋SiC单晶（点这里）；4月11日，青禾晶元也在官微宣布，他们突破了8英寸SiC键合衬底制备。 据介绍，青禾晶元通过技术创新，在 SiC键合衬底 的研发上取得了重要进展，在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底，有望加速8英寸SiC衬底 量产进程 ，为产业界客户提供更

2024年3月28日  碳化硅单晶生长：迈向大尺寸、高质量的征途 2077 中国粉体网讯 目前，用于SiC晶体生长的主要技术包括物理气相输运（PVT）法、高温化学气相沉积（ HTCVD）法，以及顶部籽晶溶液生长（TSSG）法。 其中，PVT法作为现阶段发展最为成熟、应用最广且商业

2020年11月17日  中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 京ICP备号 目前碳化硅单晶的制备方法主要有：物理气相传输法（PVT）；顶部籽晶溶液生长法（TSSG）；高温化学气相沉积法（HTCVD）。 其中TSSG法生长晶体尺寸较小目前仅用于实验室生长，商业化的技术路线主要是PVT

2023年7月14日  由于SiC材料高熔点、高密度、高硬度的特性，在材料和芯片制造过程中，存在一些特殊的工艺控制过程，如物理气相传输法单晶生长、衬底切磨抛加工较慢、外延生长所需温度极高且需要具备高良率目标、芯片制造过程需要高温高能设备等，这些均需要增加

SiC单晶生长炉 自主研发设计的SiC单晶生长设备，可用于4到 6寸导电型及半绝缘型碳化硅单晶的生长制备 。 采用单室立式双层水冷不锈钢结构，由炉膛 、真空获得及测量系统、坩埚杆拉送系统、感 应加热系统、电控系统、中频电源等组成。

2023年4月26日  高功率+高频率+高温+高电压，第三代半导体（SiC 和 GaN）物理性能 优异。第三代半导体作为宽禁带材料，具有四大特性：大带隙、大载流 子漂移速率、大热导率和大击穿电场，做成的器件对应有四高性能：高 功率、高频率、高温和高电压，制造的装备系统对应有四小优点：小能 耗、小体积、小体重

2024年3月28日  HTCVD法 是另外一种制备方法，该方法是利用Si源和C源气体在2100℃左右的高温环境下发生化学反应生成SiC的原理来实现SiC单晶的生长，该方法的一大优势是可以实现晶体的长时间持续生长，通过此方法已经成功生长了4英寸和6英寸的SiC单晶，生长速率可高达2~3 mm/h

2024年2月1日  1月30日，山东中晶芯源半导体科技有限公司（以下简称中晶芯源）8英寸SiC单晶和衬底产业化项目正式备案。 据悉，该项目于2023年6月12日落地山东济南，计划在2025年满产达产，成立于2023年5月的中晶芯源是该项目的主建方。 source：山东省投资项目在线审批监管

用于制备3CSiC单晶的方法,19,发明授权,本发明提供了一种用于制备3C‑SiC单晶的方法，其包括以下步骤：1将SiC籽晶固定至石墨籽晶托，然后将所述石墨籽晶托固定至石墨提拉杆；2将含Si和Al的助熔剂置于石墨坩埚中；3然后，将所述石墨坩埚和石墨提拉杆装载到生长炉中；4对所述生长炉抽真空

SiC单晶制备的研究已成为目前半导体材料领域的一个研究热点,并已取得了长足的进步,但距离大规模应用还存在一定的距离。 在面临的技术难题中,微管缺陷的产生与防止的研究具有重要的意义。 碳在SiC单晶生长中是重要的源材料,在单晶高温生长过程中,容器

2016年7月12日  DOI:103969issn10099492201603005第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展（广东省机械研究所，广东广州）摘要：第三代半导体设备技术是第三代半导体技术发展的重要支撑和基础。 简要介绍了以SiC为代表的第三代半导体材料，重点介绍了SiC晶体生长方法

2022年9月22日  山东大学晶体材料国家重点实验室 从 2002 年开始启动碳化硅单晶的生长和衬底加工工作，攻克了多项关键技术。从 2018 年开始对 8 英寸籽晶和导电型 4HSiC 单晶生长和衬底加工进行了研究，经过多年的理论和技术攻关，实现了高质量 8 英寸导电型 4HSiC 单晶和衬底的制备。

2024年2月7日  物理气相传输（PVT）法目前是制备碳化硅（SiC）单晶的主流方法，被大多数大规模生产SiC衬底的企业所采用。这个过程从原料的合成开始：将高纯硅粉与高纯碳粉按照特定比例混合，然后在2000℃以上的高温下，在反应室内进行特殊的化学反应。

2024年3月26日  其中，PVT 法作为现阶段发展最为 成熟、应用最广且商业化程度最高的 SiC 单晶制备技术，已基本实现 4~6 HTCVD 不仅与 PVT 法一样需要高的生长温度，所使用的设备和高纯气体价格不菲，本质上是高配置的 CVD，进而导致商业化进 程比较

2021年7月21日  碳化硅单晶的制备 一直是全球性难题，而高稳定性的晶体生长工艺则是其中最核心的技术。之前，这项技术只掌握在美国人手里，且长期对我国进行技术封锁。我国半导体材料长期依赖进口，由此带来的问题就是半导体材料价格昂贵、渠道不稳

2024年3月20日  今年一季度，碳化硅半导体行业进入传统淡季，然而优晶科技等企业却逆势增长：获得国际巨头8英寸SiC长晶设备订单，同时还将与2家韩国客户签约；获得国内200台设备订单，并且与2家光伏企业签订了碳化硅长晶设备战略合作协议；究竟优晶科技获得了哪家国际巨头的青睐？

摘要： 使用物理气相传输法 (PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4HSiC单晶,并通过多线切割,研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底使用拉曼光谱仪,高分辨X射线衍射仪,光学显微镜,电阻仪,偏光应力仪,面型检测仪,位错检测仪等设备,对8英寸衬

2022年12月5日  拉曼光谱表明8英寸SiC衬底100%比例面积为单一4H晶型;衬底 (004)面的5点X射线摇摆曲线半峰全宽分布在1044″~1152″;平均微管密度为004 cm 2 ;平均电阻率为0020 3 Ωcm。 使用偏光应力仪对8英寸SiC衬底内部应力进行检测表明整片应力分布均匀,且未发现应力集中的区域

2022年12月20日  使用物理气相传输法（PVT）制备出直径 209 mm 的 4HSiC 单晶，并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准 8 英寸 SiC 单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨 X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪

2023年11月19日  具体地，本发明涉及用于制备3C‑SiC单晶的方背景技术 [0002]碳化硅 (SiC)是一种具有优异性能的宽禁带化合物半导体，其击穿场强和饱和电子漂移速率分别为Si的10倍和Si的2倍，热导率分别是GaAs的10倍和Si的3倍。 这些优异的性能赋予了SiC在高温、高压、高频、高温

2023年10月27日  2023年1月，天科合达研发团队在《人工晶体学报》上发表8英寸导电型SiC单晶衬底制备与表征重要文章。 根据内容，天科合达研发团队使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4HSiC单晶，并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。

2023年11月21日  6英寸转向8英寸的产业趋势明显，结合国际形势，8英寸SiC衬底蕴含着国内厂商实现弯道超车的机遇。 据此前统计，国内有10家企业在研发8英寸衬底，包含烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、天科合达、科友半导体、乾晶半导体、湖南

2023年9月26日  蓝宝石单晶设备在市场端的成功，缓解了公司经营压力，也让团队有更多时间打磨热场设计、晶体生长工艺等核心能力和积累产业应用经验，也才有了后期可用于300420KG级大尺寸蓝宝石单晶生长的SET300等产品。

2021年8月4日  2、 生长速度慢。 PVT 法生长SiC的速度缓慢，7 天才能生长 2cm 左右。 而硅棒拉晶 23 天即可拉出约 2m 长的 8 英寸硅棒。 碳化硅生长炉的技术指标和工艺过程中的籽晶制备、生长压力控制、温度场分布控制等因素，决定了单晶质量和主要成本 另一方