2023年7月14日  据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，除了碳化硅外延、离子注入、高温氧化/激活等碳化硅专用装备外，华卓精科等国内企业在激光退火、激光划片、PVD

2022年12月1日  实现碳化硅离子注入的方法 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫

2021年7月21日  碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级

露笑科技（）2022年7月披露，其SiC目前已经形成1000片/月的生产能力，良率约50%，预计到2022年底可以实现5000 片/月的碳化硅衬底片供货能力，折算下来一年也才6万片。

2023年4月26日  近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，

4 天之前  常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用

2021年7月21日  原标题：碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原

2022年8月24日  碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等

2021年10月18日  是否掌握铝碳化硅复合材料的净成形生产技术，标志着一家企业是否真正具备铝碳化硅产品生产能力。铝碳化硅的生产工艺关键是净成形技术。铝碳化硅不宜采用机械加工方式去加工，其难度堪比陶瓷机加工。另外，非净成形技术生产出来的产品，表面会有厚铝

2023年5月29日  平罗县滨河碳化硅制品有限公司成立于2005年，占地面积1000多亩，总资产 20 亿元，现有员工1400余人，2017年公司总产值达到23亿 。主要从事碳化硅生产及产品深加工和销售，拥有目前全球行业内

2024年4月18日  碳化硅SiC的生产 工艺涉及从原材料的选择和预处理、高温热处理，到晶体生长、切割、打磨、器件制造、检测与封装等一系列复杂步骤。每一步都需要精确控制，确保最终产品能够满足高性能电子器件对材料的严苛要求。随着技术的日益成熟，SiC

2024年3月28日  随着碳化硅技术的不断发展，中国将成为全球碳化硅产业链中的重要生产基地，德国PVA TePla集团也将持续深耕中国市场，针对中国本土市场特色提供

2021年7月5日  碳化硅，第三代半导体材料 第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，和传统硅材料主要的区别在禁带宽度上。 禁带宽度是判断一种半导体材料击穿电压高低的重要指标，禁带宽度数值越大，则该种材料制成器件的耐高压能力越强。 以碳化硅为代表的第三代

2023年6月25日  就目前而言，碳化硅产业链中碳化硅衬底的技术壁垒最高，碳化硅衬底生产 难度最高。SiC的生产瓶颈尚未完全彻底的解决，原料晶柱的质量不稳定存在良率问题，这就导致了SiC器件的成本过高。硅材料长晶平均只要3天即可长成一根晶棒，但

2023年4月26日  生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是晶体生长，也是碳化硅 半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型 的环节。 SiC 单晶生长方法主要有：物理气相传输法（PVT)、高温化学 气相沉积法（HTCVD)和以顶部籽晶溶液生长法(TSSG)为主流的高温溶 液生长法（HTSG）。

2023年10月25日  碳化硅衬底生产难度大，技术及工艺壁垒高 第三代半导体媒体人 21:27 浙江 碳化硅衬底产品的制造涉及设备研制、原料合成、晶体生长、晶体切割、晶片加工、清洗检测等诸多环节，需要长期的工艺技术积累，存在较高的技术及人才壁垒。 根据Yole数据

2023年11月1日  全碳化硅产业链IDM 碳化硅衬底是制约碳化硅成本的关键，安森美收购了GTAT后，整合了衬底资源，实现了内部供应，同时也带给企业更大的自由度。 GTAT的生产过程经过了国际认证，它不光做材料，还做设备，收购为安森美打开了整个产业链，不需要额

为提高生产效率并降低成本，大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。 衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。 衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。

2022年12月1日  碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。 离子注入是一种向半导体材料内部加入特

2023年12月14日  一、原则同意节能评审专家组对《宁夏兴尔泰新型材料有限公司碳化硅生产装置技术 改造项目节能报告》的节能评审意见。本审查意见有效期两年，自印发之日起计算。二、该项目于2023年9月8日由宁夏中宁工业园区管理委员会备案，项目符合国家

2022年4月24日  1995 年沈阳星光技术陶瓷有限公司从德国 FCT 公司引进技术和设备，在国内开始了重结晶碳化硅陶瓷材料的制造。1996 年德国 FCT 公司又在唐山投资设厂成立唐山福赛特（FCT）技术陶瓷工业有限公司生产重结晶碳化硅产品 [27]。

2023年8月8日  碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加

14 小时之前  位于大兴区的北京天科合达半导体股份有限公司是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅晶片研发、生产销售的集成电路行业国家级高新技术企业，碳化硅衬底产量全国第一。 大兴融媒记者实地探访企业总部，参加第三代半导体产业峰会，寻找这家专精特新

2014年12月10日  生产碳化硅所用的原料主要是以 SiO2 为主要成分的脉石和石油焦，低档次的碳化硅可用低灰分的无烟煤为原料，辅助原料为木屑和食盐。 碳化硅有黑、绿两种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中 SiO2 含量尽可能高，杂质含量尽量低。 生产黑碳化硅时，硅质原料中的 SiO2 可稍低些。

SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来。 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了第一款碳化硅二极管。 SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。 如今，意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。 意法半导体积极进行产能

2024年2月29日  碳化硅（SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状碳化硅就已大规模生产，用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史，主要用于磨轮和多种其他研磨应用。

但碳化硅在新领域的应用对它的性能提出了更高的要求，我们需要进一步完善现有的较为成熟的烧结工艺，并发展新工艺生产具备更高性能的碳化硅，如闪烧，放电等离子烧结等，需要持续研究关注，以制备出更加优良的碳化硅材料，满足高新领域的需求。

2021年7月21日  碳化硅晶体的生长过程就如同“蒙眼绣花”一样，因为温度太高，难以进行人工干预，所以晶体的生长过程十分容易遭到扰动，而如何在苛刻的生长条件下稳定生长环境，恰恰是晶体生长最核心的技术。要想生产出高质量的碳化硅晶片，就必须攻克这些技术难关。

2024年4月19日  举例来说，碳化硅衬底主要供应商 天岳先进 在（SH）2023年产量实现大幅提高，年内碳化硅衬底生产量为262万片，销售量226万片；而在2022年

2024年3月22日  打造首款国产碳化硅晶体生长设备 在中国， 电动汽车 和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。 碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。 作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA

碳化硅微粉的应用与生产方法 碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用品种，分别用C和GC表示。 它们都属αSiC。 ①黑碳化硅含SiC约985％，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。 ②绿

2023年12月30日  同时，也可以探索其他生产技术，如化学气相沉积法等，以提高碳化硅衬底的生产效率和质量。 发展优化外延层生长技术 针对碳化硅外延层生长中的问题，需要加强研究和创新，改进生长工艺，降低崩边和质量不稳定等质量问题的发生，提高外延层的质量和

2022年3月4日  1 生产工艺及壁垒 碳化硅生产流程主要涉及以下过程：1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原 材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加 工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料；3）外延片环节，通常使用化学气相沉积（CVD） 方法，在晶片上淀积一

2017年5月12日  冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法所属领域:材料科学与工程成果简介:1成果的基本情况 碳化硅的工业生产，国内外一直沿用100多年前Acheson发明的单炉芯技术，该法能耗高、产品品质差、环境污染大、生产不安全、单炉产量小，因而生产效率低，产品市场竞争力差。

2024年3月22日  碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA TePla集团始终致力于融合中德前沿技术优势。 “SiCN”融汇了中国的本土化采购、生产配套能力和德国的技术

2021年4月3日  本次项目建设将大力引进国内外最先进的生产设备，建设设施完善的现代化车间，通过先进的碳化硅 (sic)半导体材料加工技术和装备，促进我国碳化硅 (sic)半导体材料工业在新时期继续快速健康发展，有利于将资源优势转变为经济优势，是加快我国经济繁荣发

2024年4月17日  为提高生产效率并降低成本，大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。 衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。 衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。

2024年1月31日  随着技术的不断进步，碳化硅在新能源汽车、5G通信技术等领域的应用也日益增多，预示着其在未来科技发展中将扮演更加重要的角色。 同时，随着环保意识的提高，低碳、环保的材料日渐受到重视，碳化硅作为一种高效、环保的新材料，其市场前景无疑是

2023年12月22日  限制出口的非金属矿物制品业技术主要包括无机非金属材料生产技术、人工晶体生长与加工技术、聚合物基复合材料生产技术等。 其中，无机非金属材料生产技术主要包括以下6项： 1非金属纤维无石棉增强抗磨材料制备技术 （1）非金属纤维无石棉增强材

2023年2月1日  碳化硅、氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的20、25倍，因 此碳化硅、氮化镓器件的工作频率大于传统的硅器件。然而，氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点，而碳化硅的耐热性和导热性都较好，可以弥补氮化镓器件耐热性较

2024年3月15日  依托多年来积淀形成的技术优势，国基南方、55所持续加大关键核心技术攻关力度，取得了一批突破性技术成果，建立完善了具有自主知识产权的碳化硅JBS、JFET、MOS等芯片工艺，形成了650V—6500V系列产品，推动碳化硅功率产品率先在新能源汽车充电桩、高压电源

2024年3月23日  热压碳化硅陶瓷，作为一种先进的工程材料，因其卓越的物理和化学性能而备受关注。 5 后处理：包括切割、研磨和抛光等，以达到所需的尺寸精度和表面光洁度。 热压碳化硅陶瓷技术凭借其独特的生产过程、广泛的应用范围以

2024年4月17日  拥抱碳化硅模组设计正向开发大趋势这两年，碳化硅模组封装工艺的技术路线之争从未停歇。IGBT时代，英飞凌以标准化的IGBT生产工艺，加标准化模组和器件封装横扫市场。但随着碳化硅应用节奏加快，功率模块的客

2022年10月29日  公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，结合“晶体生长设备— 工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力，聚焦于半导体领域， 向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和蓝宝 石单晶炉等定制化的晶体生长

碳化硅生产工艺流程 碳化硅生产工艺流程涉及到多个步骤和设备，需要掌握一定的化工和冶金技术，同时还需要严格控制各个环节的工艺参数，确保产品的质量和性能达到要求。随着技术的不断进步和创新，碳化硅生产工艺也在不断改进和优化，以提高