2023年6月22日  碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。

2 天之前  碳化硅衬底切割技术是将SiC晶锭沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。 将SiC晶锭切成翘曲度小、厚度均匀的晶片。 切割方式和切割质量影响晶片的厚度、粗糙

2024年5月6日  碳化硅晶圆的制造流程涉及前驱体净化处理、高温高压下的化学反应生成固态碳化硅、定向生长以及后续加工等关键步骤。 这些步骤共同确保了碳化硅晶圆的高品

2022年12月1日  实现碳化硅离子注入的方法 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫

2024年4月18日  碳化硅SiC的生产工艺涉及从原材料的选择和预处理、高温热处理，到晶体生长、切割、打磨、器件制造、检测与封装等一系列复杂步骤。 每一步都需要精确控

2022年5月20日  常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机 械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对 SiC 粉体的制备、碳化硅

2020年6月10日  碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。 碳化硅是用天然硅石、碳、木

2024年4月16日  为通过使用碳化硅MOSFET实现最大的系统效益，建议用英飞凌的EiceDRIVER™栅极驱动IC来补充英飞凌的CoolSiC™MOSFET，以充分利用碳化硅技术的优势。 提高效率、节省空间并减轻重量、减少零件

2022年4月24日  本文基于对碳化硅材料烧结行为、显微结构以及力学性能的认识，综述了碳化硅烧结工艺的发展及烧结助剂的选择标准，同时分析和介绍了碳化硅陶瓷材料在传统工业与现代科技领域的应用现状。

2014年3月26日  碳化硅 生产过程中产生的问题： ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑垃圾，施工结束后建筑剩余的

2024年5月6日  碳化硅晶圆的制造流程涉及前驱体净化处理、高温高压下的化学反应生成固态碳化硅、定向生长以及后续加工等关键步骤。这些步骤共同确保了碳化硅晶圆的高品质制造。碳化硅晶圆因其高硬度、出色的耐磨性、高温稳定性、优异的电学性能、良好的透光性和抗辐射能力，在半导体和电子器件领域

21 小时之前  碳化硅晶圆激光退火设备主要应用在碳化硅晶圆进行热处理。 经集微咨询统计，截至2023年11月底，我国SiC功率晶圆制造实际落地产线的企业超过15家，主要有：中车时代电气、三安、泰科天润、积塔半导体等。

2015年3月17日  采用原子力显微镜，研究了退火处理对SiC晶片（0001）面表面形貌的影响，结果表明，高温退火处理对SiC晶片表面的结构存在着“刻蚀＋碳化”的双重效应。 SiC晶片表面在高温下首先会发生刻蚀效应，形成半个至一个单胞高度的台阶结构，退火温度过高或退

2005年4月1日  本发明涉及一种碳化硅热处理装置和方法热处理装置至少包括一个密封炉室,炉室内设置旋转加热平台,高频感应加热器和样品保护罩构成采用高频感应加热法代替现有的电阻率加热;高频感应加热器对石墨圆板加热,石墨圆板旋转,15001700℃下恒温加热0520小

2023年8月11日  黑碳化硅微粉是将黑碳化硅一级料经过气流磨破碎、再经酸碱化学处理、水洗、溢流分级等生产工艺加工的精细粉末，除了具有黑碳化硅本身优秀的热力学性能外，还具有高清洁度、粒度均匀、碳化硅纯度高、杂质少的优点。 黑碳化硅微粉的特性： 1

2020年4月11日  碳化硅电子行业废水处理工程实例 李 朋，田宇鸣，马兴峰，周 伟，汤付军，曹向前 （江苏中电创新环境科技有限公司，江苏 无锡） 摘 要:随着我国半导体行业的快速发展，碳化硅电子行业企业也日趋增加,电子行业废水种类也越来越多，现阶段应 加快

石墨则经过分级、筛选等工艺， 得到符合要求的石墨粉末。 2混合：将硅石粉末和石墨粉末按一定比例混合均匀，以提高碳化硅 的均匀性和稳定性。 3烧结：将混合好的粉末放入热处理设备，进行烧结。 烧结工艺中， 主要有以下几个步骤： 预烧处理：将

2024年4月16日  我们不断在现有硅器件基础上进行碳化硅产品（包括沟槽技术领域革命性的CoolSiC™ MOSFET）的扩展。 如今，英飞凌可提供业界最全面的功率产品组合，从超低压到高压功率器件等不一而足。 我们不仅

2014年12月7日  技术领域 [0001] 本发明涉及碳化硅晶体的制备，具体涉及一种碳化硅晶体高温退火处理方法。 背景技术 [0002] 以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料，是继以硅和砷化镓为代表的第一代、 第二代半导体材料之后迅速发展起来的新型半导体材料。

2023年8月11日  黑碳化硅微粉的用途： 1 研磨抛光：针对金属、铝合金、铜制品研磨抛光和玻璃、水晶、石材、玉石的研磨抛光。 2 磨具制品：生产各种研磨抛光砂纸、砂带、尼龙抛光轮、碳化硅研磨刷、海绵抛磨块等涂附磨具和钢纸砂盘、流体磨料、油石、磨刀石、金刚石砂轮等固结磨具。

2023年11月14日  碳化硅陶瓷膜的通量增加了50%以上，可有效降低水中化学需氧量和浊度等参数。碳化硅膜在处理 含油废水时展现出较好的应用前景。三、在气体分离中的应用 碳化硅膜在炼油厂氢气回收、氮气回收、酸性气体处理、温室气体捕获、水煤气反应等

2016年12月15日  经不熔化处理、高温烧成制备了拉伸强度为 21GPa，模量超 300GPa 的碳化硅短纤维。 PCS 不熔化纤维在高温烧成时会出现显著收缩，收缩率达 23% ，因此既要保持纤维的连续性，又要防止因急剧收缩（造成纤维内部缺陷）导致纤维力学性能降低，是制备连续 SiC 纤维的重要部分。

2021年2月25日  碳化硅，为什么要把“表面工作”做好？ [导读] 通过表面改性，可以改善SiC粉体的分散性、流动性、消除团聚、提高碳化硅超细粉体成型性能以及制品最终性能。 中国粉体网讯 碳化硅是一种人工合成的强共价键型碳化物，是一种新型的工程陶瓷材料。 碳

2022年12月29日  武威市碳化硅冶炼尾气回收处理方法研究 丁晓燕 （甘肃省武威市工业发展研究中心，甘肃武威 ） 总结现阶段的工业生产实践可知，碳化硅的主要应用价值体现在新能源车电池和芯片制作当中，所以为了稳定新能源车的发展，同时为了强调芯片的开

2019年9月29日  三、碳化硅作为预处理 剂在铸铁中的应用 碳化硅作为预处理剂的理论依据 碳化硅的溶解特性：SiC在铁液中并不熔化，仅逐渐溶解，导致在SiC微粒周围局部区域碳和硅的富集和许多细小的过共晶区域，从而在该处析出许多石墨团簇和碳微粒，它们

碳化硅（SiC）陶瓷是一种多功能材料，具有一系列独特的特性，使其适用于各种应用： 1 电绝缘性：碳化硅陶瓷是一种优异的电绝缘体，适用于电气和电子应用。由于其能够处理高电压，它也被用于高功率电子器件。 2 高导热性：SiC具有较高的热导率，使其能够高效地传递热

2016年3月3日  12 实验过程 首先将一定比例的碳化硅、炭黑和硬脂酸 ( 参见下文表2) 加入到无水乙醇中,以碳化硅球为研磨介质,在尼龙球磨罐中球磨10 h;待浆料干燥后进行研磨、筛分。 此过程旨在对陶瓷粉体进行改性处理。 在改性后的陶瓷粉体加入有机添加剂并搅拌均匀后

通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射方法,研究反应烧结碳化硅材料的中各相组织及成分随热处理温度的变化规律。结果表明,晶间粒状次生β相SiC首先以溶解析出形式发生再结晶,而后沉积在α相碳化硅上,通过αSiC相基面的不断长大,完成β相向α相的转变。

2013年6月6日  摘要 摘要: 针对表面改性SiC基底反射镜在空间光学系统中的应用，总结了该类反射镜在国内外的研究现状。 概括了碳化硅基底反射镜的发展趋势。 介绍了常用的碳化硅材料，分析了它们的性质。 给出了几种常用的碳化硅镜坯制备工艺，包括成型、改性和不同

关于碳化硅冶炼尾气处理技术的探讨12方案的比较上述两大类三种常用方案，分别具有各自的特点：1 ）尾气点燃后进行收集和处理的方案，只需要对碳化硅冶炼车间进行适当改造，不会影响原有的炉型、车间工艺布局和生产规模，改造成本和后期维护的

2023年6月22日  最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。 颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。 加热后，这些晶体在较低的温度下沉积在石墨上，这一过

2020年6月10日  碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO

2011年12月20日  本发明的目的是提供一种处理效率高，运行费用低，微粉回收率高的碳化硅工业废水处理方法，它可使该行业废水排放达到《污水综合排放标准》GB89781996中的一级标准。 本发明技术方案是：一种碳化硅工业废水的处理方法，包括反应、分离、厌氧和

对碳化硅进行表面处理是提高其硬度的另一种方法。涂层和电镀等技术可用于提高表面硬度、减少磨损和改善润滑。涂层： 热喷涂：将熔融材料喷射到表面形成涂层。常见材料包括陶瓷、金属和聚合物。冷喷：将固体材料颗粒加速至高速，然后喷射到碳化硅表面。

2024年4月2日  AMB陶瓷基板适用于多种功率半导体器件，包括SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等第三代半导体材料。 这些材料在高频、高温、大功率的应用中具有显著优势，而AMB基板能够满足这些先进材料的封装需求。 8 成本效益 虽然AMB陶瓷基板的制备成本相对较高，但其在

cvd碳化硅工艺流程六、后期处理CVD 碳化硅工艺完成后，可以对薄膜进行后期处理和测试。常见的后期处理包括退火、刻蚀、沉积其他材料等。退火可以改善薄膜的结晶度和电学性能；刻蚀可用于制作器件结构；沉积其他材料可用于制备复合薄膜等。此外

2022年1月29日  8一种碳化硅衬底的处理方法，包括如下步骤： 9步骤 (1)、通过等离子体对所述碳化硅衬底进行钝化； 10步骤 (2)、在所述碳化硅衬底表面形成氧化层； 11步骤 (3)、通过原子层沉积设备在所述氧化层表面沉积高k介质层； 12步骤 (4)、采用退火炉对含

2022年12月1日  碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。 离子注入是一种向半导体材料内部加入特

碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 ℃的温度下，碳化硅仍能保持其强度。 碳化硅相关产品 特点 结构 性能 特点 在高达1400℃的温度下，碳化硅甚至仍能保持其强度。 这种材料的明显特点在于导热

2022年5月20日  徐天兵, 宋志键, 陈颖鑫, 孙亚光 碳化硅的制备及应用最新研究进展[J] Yang Y 等[4]采用空气中燃烧合成方法，并进行机械活化处理 ，成功地制备了

碳化硅冶炼尾气回收处理方法的探讨 碳化硅冶炼尾气主要包括通电冶炼过程中产生CO,SO2及CO2等废气及出炉时产生的烟尘目前传统的冶炼企业是将CO在炉表面点燃,将有毒的CO转化为无毒的CO2无组织排放,出炉时采用喷淋装置进行喷水降温降尘,但由于喷水量和操