2024年4月25日  碳化硅（SiC）的生产设备主要包括以下几类： 长晶炉 ：用于SiC单晶的生长，是SiC生产中最关键的设备之一。 由于SiC需要在高温（>2,200℃）、真空环境中生

2023年5月13日  碳化硅器件生产各工艺环节关键设备 由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线 切割机 设

2023年4月25日  SiC产业环节及关键装备 11 SiC产业链环节 SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常

2023年11月30日  宇晶股份 近日在调研中表示，公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克，设备的精度已经达到行业一流水平，公司生产的碳化硅切割、研磨、抛光设备主要

2024年4月18日  一、原料准备 SiC生产的基础在于原材料的精选。 在实际工艺中，多用纯净的硅砂和碳素材料 (例如石油焦)作为主要原料。 这些原料通过精细磨粉、混合和成型

2023年2月26日  用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。 根据我们梳理，目前长晶设备 已基本实现国产化，其他各工艺环节设备国产化率在0%20%之间。

碳化硅化学气相沉积外延设备 碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。 我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸

碳化硅晶体生长工艺及设备西安理工大学技术研究院利用该设备开发了PVT法制备大直径碳化硅晶体的生长工艺，已成功制备直径100mm、厚度超过25mm的4HSiC体单晶，同时也掌握了SiC晶锭切、磨、抛的基本技术，已在碳化硅。碳化硅生产设备,碳化硅微粉

2024年3月11日  绍兴晶彩科技有限公司作为国内首家可以生产粒度从亚微米级到毫米范围半导体级碳化硅粉料的企业。主营 第三代半导体碳化硅单晶专用的多晶粉体、高纯碳粉、高纯石墨件、高纯石墨毡; 半导体制程所需的高精密特种碳化硅陶瓷件专用超高纯粉体;5G 领域专用的热管理材料导热填料。

2024年4月18日  浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 碳化硅（SiC）因卓越性能成为电力电子器件的理想材料。 其生产工艺涉及原料准备、热处理、晶体生长、切片打磨、器件制造、检测与封装等步骤。 SiC的应用前景广阔，为电力电子技术发展开辟新道路。 在半导体

碳化硅干燥生产线,碳化硅烘干设备江苏振兴干燥价格慧聪网慧聪网供应商江苏振兴干燥设备碳化硅干燥生产线,碳化硅烘干设备江苏振兴干燥。全国的闪蒸干燥机设计制造。碳化硅又称碳硅石,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料

2023年1月4日  制作碳化硅器件的大部分设备与传统硅的生产设备相同，但由于碳化硅材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺。 SiC所需的特定设备包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC沉底和外延片表面缺陷检测和计量设备等。

2024年3月29日  半导体工艺与设备 1、半导体工艺研究、梳理和探讨。 2、半导体设备应用、研发和进展。 3、建华高科半导体设备推广，包括：曝光机、探针台、匀胶机和切片机。 4、四十五所半导体设备推广，包括：湿化学设备、先进封装设备、电子元器件生产设备等。

2023年9月27日  碳化硅晶体结构类型众多，但仅少数几种晶体结构的碳化硅为衬底所需材料，杂质控制难度高。 在晶体生长过程中，需精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速度以及气流气压等参数，否则容易产生多晶型夹杂，降低产品良率。目前主流的

2022年12月15日  产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分

2024年4月17日  市场｜碳化硅模组封装，我们还能聊什么？ 拥抱碳化硅模组设计正向开发大趋势 这两年，碳化硅模组封装工艺的技术路线之争从未停歇。 IGBT时代，英飞凌以标准化的IGBT生产工艺，加标准化模组和器件封装横扫市场。 但随着碳化硅应用节奏加快，功率

2023年5月13日  由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线 切割机 设备，芯片制程中的高温高能离子注

2023年5月13日  由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注

碳化硅生产工艺流程 碳化硅生产工艺流程涉及到多个步骤和设备，需要掌握一定的化工和冶金技术，同时还需要严格控制各个环节的工艺参数，确保产品的质量和性能达到要求。随着技术的不断进步和创新，碳化硅生产工艺也在不断改进和优化，以提高

2023年6月30日  ”中国电科48所党委书记王平介绍，扩大设备尺寸是碳化硅产业链降本增效的有效路径。 中国电科48所聚焦国内第三代半导体产业发展需要，率先开展8英寸碳化硅外延设备关键技术突破，先后解决了衬底易开裂、外延层厚度均匀性难控制等问题，实现了大尺寸外延材料生长所需的均匀、稳定温流场

2023年6月30日  中国电科48所聚焦国内第三代半导体产业发展需要，率先开展8英寸碳化硅外延设备关键技术突破，先后解决了衬底易开裂、外延层厚度均匀性难控制等问题，实现了大尺寸外延材料生长所需的均匀、稳定温流场分布。目前该设备已在国内头部企业上线验证。

2023年2月26日  《工业母机、碳化硅设备国产化再迎 利好—行业周报》2023212 《制造业基础核心部件、底层软件高 端自主化战略意义提升—行业点评报 告》202327 证 关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报 孟鹏飞（分析师） 熊亚威（分析师）

2023年5月13日  由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧制备等设备。 在图形化、刻蚀、化

2024年4月25日  碳化硅（SiC）的生产设备主要包括以下几类： 长晶炉：用于SiC单晶的生长，是SiC生产中最关键的设备之一。由于SiC需要在高温（>2,200 ℃）、真空环境中生长，长晶炉需要具备高温稳定性和精确的温控能力。切割机：用于将生长后的SiC晶体切割成

2023年4月21日  制备SiC器件的栅极氧化层需要高温氧化炉。国外主要厂商包括昇先创Centrotherm、东横化学等，当前中电科48所、北方华创等国内企业的设备也能够用于生产碳化硅器件。

2023年4月26日  搜狐雪球碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需 碳化硅3个常识点核心点内容切磨抛工序尾声1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快 ！ 2、碳化硅目前供需情况是一片难求，核心点是上游长晶环节衬底生产慢导致 ！

2023年11月22日  碳化硅材料具有高熔 点、高硬度属性，制造所需的工艺难度远高于硅基材料，且由于碳化硅晶体生长速率慢、 产品良率低，碳化硅衬底的生产周期远大于传统硅基。 根据芯八哥数据，2021 年碳化硅器件制造成本结构中，衬底成本占比约 46%，未来

1碳化硅 原理：通过石英砂、石油胶和木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成,主要反应机理是SiO2+3CSiC+2CO。 碳化硅电阻炉制炼工艺：炉料装在间歇式电阻炉内，电阻炉两端端墙，近中心处是石墨电极。 炉芯体连接于两电极之间。 炉芯周围装的是参加反应的

2018年8月30日  8 寸线工艺较为成熟，生产设备 也相对比较固定，各种制程间设备数量差异不大，以中芯国际天津 T2 集成电路生产线项目为例对 设备需求趋势：越先进制程所需设备 量越多 对三种产线的设备需求数量进行比较，可发现，总的趋势来看，越

2020年8月21日  碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。 当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等

碳化硅工艺过程(2)破碎把碳化硅砂破碎为微粉，国内目前采用两种方法，一种是间歇的湿式球磨机破碎，一种是用气流粉末磨粉机破碎。湿式球磨机破碎时用是用湿式球磨机将碳化硅砂磨成微粉原料，每次需磨68小时。所磨出的微粉原料中，微粉约占60%左右。

2022年1月13日  晶棒切割：使用切割设备将碳化硅晶体切割成厚度不超过1mm的薄片。 晶片研磨：通过配比好的研磨液将晶片研磨到所需 的平整度和粗糙度。 晶片抛光：通过配比好的抛光液对研磨片进行机械抛光和化学抛光，用来消除表面划痕、 降低表面粗糙度

6 天之前  磨削技术是将SiC陶瓷加工成所需形状、尺寸和表面质量的关键方法。 但是传统磨削成本高，工件容易产生缺陷（如凹坑和裂纹），导致强度下降，影响使用性能。 为了提高磨削效率，保证表面质量、尺寸精度和材料去除率，新的磨削技术越来越被重视。 本文

2024年2月20日  热压成型法是将碳化硅陶瓷生胚放入模具中，通过加热和加压使其成型的方法。这种方法的优点是成型速度快，成型精度高，可以大批量生产。缺点是需要专门的模具和设备，成本较高；同时，热压成型过程中可能会产生热量，导致陶瓷材料的性能发生变化。

2022年8月26日  碳化硅衬底还是典型的资本密集型行业，长晶过程需要大量的长晶炉。 碳化硅长的实在是太慢，一个月才能长2cm，一台炉子一年只能长400500片。 当然这还是理想情况下的数据，根据天岳先

2023年2月11日  行业研究丨深度报告丨半导体与半导体生产设备碳化硅：把握能源升级+技术迭代的成长机遇丨证券研究报告丨报告要点碳化硅相比硅带来的最大变化我们可以总结为“旧结构+新材料”，亦即通过把材料更换为碳化硅解决过去硅基MOSFET在高电压场景下的瓶

2024年1月20日  1碳化硅制造涉及生命周期、制造商、生产工艺和设备类型等关键因素。 生命周期和制造商的选择会影响设备的生产能力和维护周期。 设备类型包括氧化扩散炉和外延炉等，需针对不同设备进行不同的维护周期和更换周期。 国内大厂在生产碳化设备，使用

2020年3月24日  2、碳化硅粉体合成设备 碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅 粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。碳化硅粉体

2023年12月21日  温度要求：首先需要确定所需工作温度范围，因为不同的温度范围对应不同的碳化硅托材料，比如，工作温度在1400°C以下的可以选择氮化硅托，而工作温度在1400°C以上的则需要选择碳化硅托。2 承重能力：根据工作设备的负荷要求选择合适的碳化

2014年2月26日  专利摘要本发明提供一种改进碳化硅外延片均匀性的方法，可用来生长厚度均匀的碳化硅外延片。通过在反应腔体的气流下方安装气流阻挡环，然后将碳化硅衬底置于支撑台上，再将反应腔体内加热到外延所需温度，通入反应气体和载气，最终在碳化硅衬底上形成碳化硅外延层。本发明获得的碳化硅

水泥生产所需设备及检测设备清单 序号 检测设备（设施） 型号 单位 数量 被检测产品 被检测产品规格型号 备注 1 X荧光分析仪 Axios型 台 2 酸盐水泥 普通硅酸盐水泥 复合硅酸盐水泥 PII 425(R) PO 425(R) PC 325(R) 光谱室 2 水泥胶砂振动台 GZ75型 台 2

2023年5月13日  由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线 切割机 设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧制备等设备。 在图形化、刻蚀、