2024年4月12日  基于此，开发了高温烧结设备，进行氮化铝陶瓷高温烧结工艺试验，分析了烧结温度及时间、升降温速率、气体流量及炉体压强等因素对高温烧结产品性能的影响。

2022年6月17日  通过以下三种途径可以获得致密的高性能氮化铝陶瓷：（1）使用超细粉；（2）热压或等静压；（3）引入烧结助剂。 AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即

氮化铝（AlN）具有优异的导热性，高电绝缘性和与硅相似的热膨胀性等特性，可作为高导热性基板材料，应用于功率晶体管模块基板，激光二极管安装基板，IC封装。 此外，由于

2017年8月28日  氮化铝作为共价键化合物，难以进行固相烧结。通常采用液相烧结机制，即向氮化铝原料粉末中加入能够生成液相的烧结助剂，并通过溶解产生液相，促进烧结

2021年5月27日  要制备高热导率的AlN陶瓷，在烧结工艺中必须解决两个问题：第一是要提高材料的致密度，第二是在高温烧结时，要尽量避免氧原子溶入的晶格中。 常见的烧结

氮化铝 (AlN) 陶瓷的无压烧结是制造致密、高性能 AlN 部件的常用方法。 无压烧结是一种不需要外部压力即可实现致密化的过程。 以下是氮化铝陶瓷无压烧结工艺的概述： 1粉末

2021年11月25日  AlN烧结助剂一般是碱金属氧化物和碱土金属氧化物，烧结助剂主要有两方面的作用：一方面形成低熔点物相，实现液相烧结，降低烧结温度，促进坯体致密化；

2022年4月20日  添加烧结助剂来提高AlN陶瓷的性能。本文中，综述了AlN陶瓷的研究进展，指出了 AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题，展望了 AlN陶瓷的发展趋势。0 1 烧

2016年3月9日  AlN 陶瓷是一种新型的高导热材料, 其基本性能参数如表1 为所示。 AlN陶瓷理论导热率高达320 W m 1 K 1 ( 是Al2O3 的5 ~ 8 倍), 实际使用的AlN 陶瓷热导率为180

2021年4月20日  主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响方面综述了AlN陶瓷的研究进展,并指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题,展望了AlN陶瓷的发展趋势。

产品简介： AlN烧结设备 发布时间： 更新 有效时间： 长期有效 在线咨询： 点此询价(厂家7/24在线) 氮化铝陶瓷的烧结简介及调控 2016年3月29日氮化铝陶瓷的烧结简介及调控摘要:AlN 陶瓷以其高的热导率、低的介电常数、与7 1 氮化铝陶瓷简介

氮化铝 (AlN) 陶瓷的无压烧结是制造致密、高性能 AlN 部件的常用方法。 无压烧结是一种不需要外部压力即可实现致密化的过程。 以下是氮化铝陶瓷无压烧结工艺的概述： 1粉末制备：第一步是制备氮化铝粉末。 粉末应具有所需的成分和粒度分布。 通常使用高纯度 AlN 粉末来确保最终产品的质量。

2017年8月21日  图1 AlN陶瓷烧结助剂作用过程示意图 三、烧结助剂选用原则 1、在较低温度下能与AlN颗粒表层的Al2O3发生共熔，生成液相，且产生的液相对AlN颗粒具有良好的浸润性； 2、液相的流动性好，烧结后期在AlN晶粒生长过程的驱动下向三叉晶界流动，不至于形

AlN熔点为3300℃,因此AlN陶瓷的烧结温度高达1900℃以上,严重制约了其在工业上的应用,添加合适的烧结助剂是降低AlN陶瓷烧结温度的重要方法。二、烧。一般情况下,常压烧结制备AlN陶瓷需要烧结温度高,保温时间较长,但其设备与工艺流程简单,操作方便。

2021年9月2日  AlN 制粉研究进展 工业上制备AlN粉末的方法有三种，分别是直接氮化法，自蔓延高温合成法与碳热还原法。其中直接氮化法和自蔓延高温合成法原理相同，都以金属铝为原料，在一定温度下与氮气直接反应的，但生产设备与反应过程存在较大的

利用AlN、Al2O3和Y2O3等特殊陶瓷材料为客户提供陶瓷零件：从用于半导体制造工艺的AlN加热器、ESC等功能性产品到一般零部件。 基于20年来积累的陶瓷材料设计、烧结技术、精密加工和键合技术，MiCo Ceramics已量产和供应CVD、PECVD、ALD和高温UV固化或Asher工艺设备中使用的氮化铝加热器。

2021年4月20日  AlN陶瓷因其高热导率、高强度、线膨胀系数与硅接近、介电常数小、耐高温和耐腐蚀性能优异而被用作芯片基板和封装材料。 主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响方面综述了AlN陶瓷的研究进展,并指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题,展望了AlN陶瓷的发展趋势。

2023年4月3日  2015年，三菱电机采用银烧结技术制作出功率模块，循环寿命是软钎焊料（SnAgCuSb）的5倍左右，并且三菱电机自主开发了加压烧结的专用设备。 如今，银烧结技术已经成为宽禁带半导体功率模块必不可少的技术之一，随着宽禁带半导体材料（SiC、GaN）的发展，银烧结技术将拥有良好的应用前景。

2016年3月9日  15 AlN陶瓷制备技术中存在的主要困难 目前, AlN 陶瓷的研究虽然已经取得了可喜的成绩, 但要实现工业化、经济环保的生产目标, 还有许多技术难题需要去解决。总的说来, AlN 陶瓷制备技术的发展主要面临以下几个难点: (1) AlN陶瓷的烧结助剂种类有限, 而且使

2022年4月20日  AlN陶瓷烧结技术主要包括无压烧结、热压烧 结、放电等离子烧结、等离子活化烧结和微波烧结 等[12－14]。不同烧结技术的优缺点见表1。表1 AlN陶瓷烧结技术的优缺点 烧结技术 优点 缺点 无压烧结 设备简单，成本低 烧结温度高，致密度低

2014年11月8日  继续增加AlN的含量则引起复相陶瓷密度的下降。微结构观察发现随着AlN 含量的上升，气孔率有明显增加，烧结性能下降。 (2)SiCAlN复相材料的热导率随着AlN含量的增加而下降，这和固溶体的形成有关。XRD测试也说明了2H 固溶体的形成随着AlN 含量的

2023年3月31日  其中热压烧结是目前制备高热导率致密化AlN陶瓷的主要工艺。 氮化铝陶瓷基版从粉体的制备、再到配方混料、基板成型、烧结及后期加工等特殊要求很高，尤其是在高端产品领域对产品性能、稳定性等要求更高，再加上设备投资大、制造工艺复杂，其准入门槛

2013年6月29日  产品名称：带式烧结设备 成色：全新 根据微波加热特点，研究了在微波环境下装料匣钵以及添加剂对Al粉氮化的影响。 结果表明，采用莫来石材料的装料匣钵与添加复合添加剂（氟化铵+锌粒），进行微波Al粉氮化，在常压下1050℃保温30min，得到了晶体形状规则、颗粒均匀细小的高纯度AlN。

碳热还原氮化法是AlN粉体商业化生产的主要制备方法之一，其合成的粉体粒度小，粒径分布均匀，球形度好，且具有优良的烧结性能。 但目前国内碳热还原氮化法制备AlN粉体的技术与国际先进水平仍有较大差距，在粉体的形貌、粒度和纯度方面需要进一步提升，这就需要对该工艺的合成过程及机理

2024年1月16日  将复合粉体置入石墨模具中，再将石墨模具置于热压烧结设备中，预压处理，抽真空，然后加压至30～70MPa，升温至1500～1800℃，最后在1500～1800℃和30～70MPa条件下保温保压60～120min，经打磨、抛光和切割，得到高强度BN‑AlN‑B4C复

2021年7月28日  氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的热导率、电绝缘性能和介电性能，最重要的是其与硅的热膨胀系数相近，是 较为理想的可用于基板和电子器件封装的半导体材料。本文综述了氮化铝的性能、陶瓷成型、烧结等技 术的研究进展，并对氮化铝陶瓷的发展方向进行了探

5 天之前  纳米氮化铝(AlN)具有优良的热导率、电学性能和力学性能，被广泛应用于新一代半导体器件。氮化铝器件的性能表现取决于氮化铝粉体的质量，因此，优质氮化铝粉体的制备是氮化铝行业发展的关键。本文综述了氮化铝的纳米粉体制备及相关应用的研究进展，并讨论了氮化铝的发展方向。

aln烧结设备 氮化铝透明陶瓷烧结 微波烧结MicrwaveSintering是一种新型、高效的烧结技术，具有传统烧结技术无可比拟的优越性．本文在不添加任何烧结助剂的前提下，采用高纯微米级氮化铝AlN粉，在1700。C／2h的微波低温烧结工艺条件下制备出透明度较高

2014年11月8日  本文以AlN和玻璃碳为原料，以Y2O3作烧结助剂，采用热压烧结工艺制备了AlN玻璃碳复相微波衰减材料，研究Y2O3含量对试样的烧结性能、显微结构、导热性能等的影响。 1、实验过程 11、试样制备 本实验以AlN (日本Tokoyama公司，d50=113μm)、玻璃碳 (球形04～12μm)为

4 天之前  氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的热导率、电绝缘性能和介电性能，最重要的是其与硅的热膨胀系数相近，是较为理想的可用于基板和电子器件封装的半导体材料。本文综述了氮化铝的性能、陶瓷成型、烧结等 Aluminum nitride (AlN) ceramics have excellent thermal

2018年2月8日  AlN陶瓷基片烧结曲线的研究与优化 针对A1N陶瓷烧结过程中液相烧结阶段的升温速率、保温时间和烧结温度等关键因素和以上的研究分析，对原工艺的烧结温度曲线进行了改进优化，改进后的温度曲线按照原有不同阶段，设置液相烧结阶段的升温速率

袁文杰 南京工业大学材料科学与工程学院 本实验采用无压烧结技术，以Y2O3为烧结助剂制备AlN陶瓷。 闪光法测试AlN陶瓷在室温到300℃的温度关系。 结果表明：在25～300℃，AlN陶瓷热导率随温度升高而降低；热导率较高的AlN试样热扩散系数和热导率随

2021年1月16日  烧结工艺与设备 AlN 陶瓷烧结工艺主要有：常压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结等。常压烧结 常压烧结是一种烧结过程不施加任何额外压力的烧结方法，分为固相烧结和液相烧结，AlN陶瓷单纯的固相烧结难以烧结致密，一般选用液相

氮化铝静电卡盘 / AlN Electrostatic Chuck 通过控制混凝材料的成份和配比，实现体积电阻率的微量控制，获得更大温度区间的夹持力。 通过混凝陶瓷烧结技术及共烧工艺保障均匀温区分布。 一体化共烧成型，最大限度保障产品质量。 在等离子卤素真空气氛环境下

氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概 述 氮化铝（AlN）是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物，晶体结构和微 观组织如图 1 所示。室温强度高、热膨胀系数小、抗熔融金属侵蚀的能力 强、介电性能良好，这些得天独厚的优点使其成为高导热材料而引起国内 外的普

2024年2月20日  张泽兵 富士康科技集团 特聘技术顾问 第十六届中国国际先进陶瓷展览会 演讲主题 MIMTi注射成形钛及钛合金烧结技术和设备工艺 MIMTi注射成形纯钛（TA1TA4）及钛合金（TC4）粉末制备 MIMTi注射成形钛及钛合金粘结剂配方与脱脂体系 MIMTi注射成形烧结技术

不同烧结气氛下制备的AlN陶瓷结构和电性能的差异 摘要 以AlN粉末为原料、Y2O3粉末为烧结助剂,分别在氮气气氛下和真空气氛下,采用放电等离子烧结方法在1700℃、25MPa条件下保温10min制备AlN陶瓷。 X射线衍射、扫描电镜和X射线光电子能谱分析表明:不同烧结气氛

用于半导体制造的氮化铝（AlN）部件 活用氮化铝（AlN）高导热率和高耐腐蚀性，将其用于半导体制造设备部件。 MARUWA以培育多年的材料技术为基础，使用适合产品使用和形状生产的原始烧结工艺，生产半导体制造设备和医疗设备零件。

2023年4月17日  结果表明：纯纳米AlN粉和掺杂Y 2 O 3 纳米AlN粉在40～60 MPa下，经1500 ℃放电等离子烧结5～60 min，均可获得相对密度＞99%的AlN陶瓷。 当烧结压力为50 MPa时，获得的AlN陶瓷晶粒尺寸最小，分别为176 nm和190 nm，细化晶粒明显提高了AlN陶瓷硬度和抗弯强度。 当烧结时间

放电等离子烧结（Spark Plasma Sintering，简称SPS）放电等离子烧结 (SPS) 是近年来发展起来的一种新型的快速烧结技术 由于等离子活化烧结技术融等离子活化、热压、电阻加热为一体,因而具有升温速度快、烧结时间短、晶粒均匀、有利于控制烧结体的细微结构

2024年2月20日  发布于：广东省 演讲嘉宾 张泽兵 富士康科技集团 特聘技术顾问 第十六届中国国际先进陶瓷展览会 演讲主题 MIMTi注射成形钛及钛合金烧结技术和设备工艺 MIMTi注射成形纯钛（TA1TA4）及钛合金（TC4）粉末制备 MIMTi注射成形钛及钛合金粘结剂配方与脱脂体系